意大利國家研究委員會微電子與微系統研究所(CNR-IMM)開展了一項研究，發現在硅襯底上拓撲生長的絕緣體——碲化銻(Sb2Te3)中，純自旋電流和“傳統”電流之間的轉換效率很高。相關成果發表在《Advanced Functional Materials》《Advanced Materials Interfaces》上。

拓撲絕緣體的特點是內部不導電，而具有金屬特性的電流可沿著其邊緣和表面流動。在這種電流中，電子沿著確定的方向自旋。自旋電子學這一電子學分支將電子自旋視為可用于開發計算和信息存儲新設備的重要資源。可以使用在拓撲絕緣體表面流動的所謂的“自旋極化”電流來操縱與其接觸的材料的磁態，傳輸“自旋相關”的信息，提高電導率并降低能源成本。在這種情況下，優化純自旋電流和“傳統”充電電流之間的轉換具有特殊的意義。

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